報告書番号

T90035

タイトル（和文）

半導体レーザの波長制御技術の開発（その２）－高速波長変化による波長マッチング法の提案－

タイトル（英文）

FREGUENCY CONTROL OF SEMICONDUCTOR LASER (2)-PROPOSAL OF FREQUENCY-TUNING USING LASER-SPEED -REQUENCY SHIFT-

概要 （図表や脚注は「報告書全文」に掲載しております）

原子レーザー法ウラン濃縮の濃縮効率の向上のために，可視半導体レーザーの高速・光効率直接変調による波長変化を利用して，超微細構造を持つウラン２３５の光吸収帯への簡便な波長マッチング法を提案した。可視ＡｌＧａＩｎＰレーザーの正弦波直接変調時における波長変化の時間分解測定を，ファブリ・ペローエタロンにより得られる干渉稿の実時間変化を高速ゲート付イメージインテンシファイアとカメラを用いて観測することにより行った。その結果３００ｎｓｅｃで７ＧＨｚの波長変化が得られた。原子レーザー法ウラン濃縮では，レーザーのパルス幅である５０ｎｓｅｃの間に１～１０ＧＨｚの波長変化が要求される。上記の結果より，可視半導体レーザーの直接変調は，原子レーザー法ウラン濃縮に要求される広帯域の波長変化を実現し得ると言える。

概要 （英文）

TO ACHIEVE HIGH-EFFICIENCY ATOMIC VAPOR LASER ISOTOPE SEPARATION (AVLIS),WE PROPOSE AN EASY METHOD FOR TUNING THE FREQUENCY TO THE ABSORPTION BAND OF 235U USING THE FREQUENCY SHIFT OF A VISIBLE SEMICONDUCTOR LASER (VSL) BY HIGH-SPEED AND HIGH-EFFICIENCY DIRECT MODULATION. THE TIME RESOLUTION OF THE FREQUENCY SHIFT OF A VISIBLEALGAINP LASER WITH DIRECT SINUSOIDAL MODULATION WAS MEASURED USING AN IMAGE INTENSIFIER AND CAMERA;THE REAL TIME VARIATION OF THE INTERFERENCE FRINGE WAS OBTAINED WITH FABRY-PEROT ETALON. A FREQUENCEY SHIFT OF 77GHZ IN 300 NS WAS OBTAINED. AVLIS REQUIRES A FREQUENCY SHIFT OF 1-10 GHZ IN 50 NS WHICH IS THE LASER PULSE DURATION. THIS RESULT INDICATES THAT THE BROAD/BAND FREQUENCY SHIFT REQUIRED BY AVLIS WILL BE ACHIEVED BYDIRECT MODULATION OF A VSL.

報告者

キーワード