報告書番号

T93046

タイトル（和文）

半導体レーザー用超格子の基礎的検討（その１）－ジメチルエチルアミンアランを用いたアルミニウムヒ素の原子層成長－

タイトル（英文）

SUPERLATTICE FOR LASER DIODE (PART 1)-ATOMICLAYER EPITAXY OF ALUMINUM ARSENIDE USING DIMENTHYLETHYLAMINOALANE-

概要 （図表や脚注は「報告書全文」に掲載しております）

半導体超格子をはじめとして半導体デバイス作製において望まれることは，（１）急峻なヘテメ界面構造，（２）不純物を含まない高純度な膜の作製である。このためには，高純度な材料を用いて熱拡散の影響が少ない低温で作製することが有効な手段である。ジメチルエチルアミンアラン（ＤＭＥＡＡ）は分解温度が１２０度と低く，Ａｌが直接Ｃと結合したいないため，Ｃ等の取り込みが少ないことが期待できる材料である。そこでＤＭＥＡＡを用いたＡｌＡｓ原子層成長を試み，その特性を評価した。

概要 （英文）

WE NEED TO MAKE SEMICONDUCTOR DEVICES HAVINGSHORT-PERIOD SUPERLATTICIES FORMING BOTH ABRUPT HETEROINTERFACE STRUCTURES AND HIGH QUALITY LAYERS. WE BELIEVE THAT THESE LASER DIODES SHOULDBE GROWN AT LOW TEMPERATURES WHERE ATOMS HARDLY DIFFUSE USING PURE SOURCES. SINCE DIMETHYLETHYLAMINOALANE ALH3N(CH3)2(C2H5):DMEAA DECOMPOSES ABOVE 120 DEGREE AND AL ATOMS DO NOT BOND DIRECLTY WITH C ATOMS,ATOMIC LAYER EPITAXY CAN OCCUR AT LOW TEMPERATURES AND C AND OTHER IMPURITIES EXPECTED TO BE LOW. WE TRIED TO GROW AN ATOMIC LAYER EPITAXY OF ALAS USING DMEAA. THIS REPORT DESCRIBES THE GROWTH RESULTS OF ALAS LAYERS AND THEIR CHARACTERISTICS.

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