報告書番号

T95046

タイトル（和文）

有機金属気相成長法による半導体超格子の作製

タイトル（英文）

GRWOING SEMICONDUCTOR SUPER-LATTIC BY MOVPE

概要 （図表や脚注は「報告書全文」に掲載しております）

有機金属気相成長法により（ＡｌＡｓ）ｎ／（ＡｌＰ）ｍ半導体薄膜の原子層成長を行った。Ａｌ原料としてジメチルアルミニウムハイドライドを用い，ＡｌＡｓ層数およびＡｌＰ層数をそれぞれ２および１０とした半導体薄膜は，そのＸ線回析スペクトルが超格子からの一次のサテライトピークを有していることから，超格子薄膜であることが確認できた．また，薄膜断面のＴＥＭ像からは基板および超格子の界面の平坦性は良好であることが確認された。

概要 （英文）

A SEMICONDUCTOR THIN FILM OF (ALAS)N/(ALP)M WAS GROWN USING A METALORGANIC VAPOR PHASE EPITAXY (MOVPE) DEVICE. THE X-RAY DIFFRACTION PATTERN OF (ALAS)2/(ALP)10 GROWN USING DIMETHYL ALUMINUM HYDRIDE AS THE ALUMINUM RESOURCE HAD FIRST-ORDER SATELLITE PEAKS OFSUPERLATTICES. TEM IMAGES SHOW THAT THE INTERFACE BETWEEN THE SUPPERLATTICE AND SUBSTRATE IS VERY FLAT.

報告者

キーワード