報告書番号

T95079

タイトル（和文）

半導体レーザーの波長制御技術の開発（その７）－６３０ｎｍ帯半導体レーザーの連続周波数掃引技術の開発－

タイトル（英文）

FREQUENCY CONTROL SEMICONDUCTOR LASER(PART7)-DEVELOPMENT OF CONTINUOUS FREQUENCY TUNING TECHNIQUES FOR 630-NM SEMICONDUCTOR LASER-

概要 （図表や脚注は「報告書全文」に掲載しております）

市販のレーザーダイオード（ＬＤ）で最も発振波長の短い６３０ｎｍ帯ＡｌＧａＩｎＰレーザーを用いた波長可変レーザーを開発し，その波長制御特性の評価を行った。今回，ＬＤ出射端面上に無反射コーティングを施さない通常のＬＤ（６２８ｎｍ，ＳＤＬ－７５０１－Ｇ１）にＬｉｔｔｒｏｗ型回折格子配置の外部共振器構造を構成し，スペクトル幅を狭帯域化した。さらに，回折格子の角度とＬＤ駆動電流を同時に制御することにより，２０ＧＨｚ以上モードホップの無い波長掃引を達成した。この実験結果は，波長制御のメカニズムを説明する簡単な２共振器系モデルによる計算結果とも一致する。

概要 （英文）

WE DEVELOPED A TUNABLE LASER USING A 630-NM ALGAINP LD,WHICH HAS THE SHORTEST WAVELENGTH OF COMMERCIAL LDS,AND EVALUATED ITS WAVELENGTH CONTROL CHARACTERISTICS. THE SPECTRAL LINEWIDTH WAS MADE NARROWER BY FORMING A LITTROW-TYPE GRATING CONFIGURATION USING ANORMAL LD(628 NM,SDL-7501-G1)WITHOUT ANTI-REFLECTION COATING ON ITS FACET MOREOVER,BY SHILTING THE GRATING ANGLE AND CHANGING THE LD DRIVING CURRENT SIMULTANEOUSLY,WE CONFIRMED WAVELENGTH SWEEPING OVER 20 GHZ WITHOUT MODE HOPPING.THIS RESULT AGREES WITH CALCULATIONS FOR A SIMPLE TWO-RESONATOR MODEL;AND EXPLAINS THE WAVELENGTH-CONTROL MECHANISM.

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