電力中央研究所

報告書「電力中央研究所報告」は当研究所の研究成果を取りまとめた刊行物として、昭和28年より発行されております。 一部の報告書はPDF形式で全文をダウンロードすることができます。

※ PDFのファイルサイズが大きい場合には、ダウンロードに時間がかかる場合がございます。 ダウンロードは1回のクリックで開始しますので、ダウンロードが完了するまで、複数回のクリックはなさらないようご注意願います。

電力中央研究所 報告書(電力中央研究所報告)

報告書データベース 詳細情報


報告書番号

T98035

タイトル(和文)

AlAs/AlP半導体超格子の第一原理計算による物性予測 --電子構造と熱力学的安定性--

タイトル(英文)

Electronic states and thermodynamic stability of AlAs/AlP superlattices

概要 (図表や脚注は「報告書全文」に掲載しております)

GaAsおよびGaP基板上における(AlAs)n(AlP)n超格子の第一原理計算を行った。(1)GaP基板上ではどの組み合わせでも間接遷移であるが、GaAs基板上のnが2以上の組み合わせの場合にゾーン折り返し効果により間接遷移から直接遷移へと変化することがわかった。(2)二相分離に対する熱力学的安定性について検討するため混合エンタルピーの計算を行った。GaAs基板、GaP基板共にn≦4では混合エンタルピーが負の値となり、二相分離に対して安定となっているのに対してn=5では正となり不安定となることがわかった。

概要 (英文)

Electronic states and thermodynamic stability of (AlAs)n(AlP)n [n=1 to 5] superlattices, were studied by first principle calculations. (1) The (AlAs)n(AlP)n superlattices grown on GaAs with n=2 to 5 are direct-band-gap semiconductors, while those grown on GaAs with n=1 and on GaP with n=1 to 5 are indirect-band-gap semiconductors. (2) The (AlAs)n(AlP)n superlattices grown on GaAs and GaP with n=1 to 4 are stable under phase segregation while those with n=5 are unstable.

報告書年度

1998

発行年月

1999/04

報告者

担当氏名所属

大沼 敏治

狛江研究所電気物理部

長野 正裕

狛江研究所電気物理部

根本 孝七

狛江研究所電気物理部

キーワード

和文英文
第一原理計算 first principle calculation
半導体超格子 semiconductor Superlattice
熱力学的安定性 thermodynamic stability
電子構造 electronic strucure
Copyright (C) Central Research Institute of Electric Power Industry