報告書番号

W93036

タイトル（和文）

ＣＶケーブル半導電層界面の微小構造直接観察手法の開発

タイトル（英文）

DEVELOPMENT OF MORPHOLOGY OBSERVATION METHODFOR XLPE INSULATION INTERFACE

概要 （図表や脚注は「報告書全文」に掲載しております）

ＣＶケーブルの絶縁性能に関わる材料特性として，絶縁破壊の起点となる絶縁体と半導電層との界面領域の微小構造が重要である。局所的な微小領域で微小な絶縁体高次構造を分析評価できるように，高電界電子放出型電子源（ＦＥ）と走査型透過電子観察装置（ＳＴＥＭ）とを組み合わせた方法を検討した。ＦＥ－ＳＴＥＭ法を用いて，絶縁体の球晶構造を無染色で観察することに初めて成功した。本手法で観察される構造は，架橋温度やスクリーンメッシュなど構造条件やポリエチレンの種類などで特徴的な違いが見られることを明らかにした。また，界面領域での構造と絶縁性能との関連性が示唆された。一方，電子線損失エネルギー分光装置を適用して微小領域の密度測定法を考案した。

概要 （英文）

THE MORPHOLOGY AT THE INTERFACE BETWEEN THE SEMICONDUCTING AND INSULATING LAYERS GREATLY INFLUENCES THE DIELECTRIC PERFORMANCE OF XLPE CABLES,BECAUSE TREEING STARTS AT THE INTERFACE. SCANNING TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY WITH A FIELD EMISSION ELECTRON SOURCE (FE-STEM) WAS USED TO EVALUATE THE INTERFACE MICRO MORPHOLOGY. INSULATION SPHERULITES WERE SUCCESSFULLY ABSERVED WITHOUT STAINING. THE OBSERVED STRUCTURE VARIED WITH MANUFACTURING CONDITIONS SUCH AS CROSSLINKING TEMPERATURE,SCREEN MESH SIZE AND KINDS OF POLYETHYLENE. A CORRELATION WAS SUGGESTED BETWEEN THE INTERFACE STRUCTURE AND DIELECTRIC PERFORMANCE. WE PROPOSE A METHOD FOR MEASURING THE MICRO REGION DENSITY USINGELECTRON ENERGY LOSS SPECTROMETRY.

報告者

キーワード